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准分子激光在硅底板加工、硅片蚀刻中的应用

世源气体 www.51qiti.com  更新时间:2011-10-23 20:26:31
基于准分子激光的硅底板加工 
采用先进准分子激光处理工艺,可以将低电子迁移率的非晶硅转变为性能更高的多晶硅薄膜,从而不但可以为新兴的有源矩阵型有机发光二极管技术(AM-OLED)提供需要的驱动电流,而且可以为高分辨率有源矩阵型液晶屏(AM-LCD)提供更快的电压切换。 通过
准分子激光对非晶硅层进行选择性退火及再结晶,可以得到高度有序的微结构,从而实现非晶硅层向多晶硅层的转变。由于308nm准分子激光的短波长及小的穿透深度,硅下面的玻璃衬底将不会受到高功率准分子激光光束的影响。 
另外,考虑到准分子激光几百瓦的输出功率,快速大面积处理也是可行的。最终的处理结果是将电子迁移率显著提高到高于100cm2/V-sec,这个值比传统非晶硅层高了两个数量级。图9所示的多晶硅层,其高度有序的晶格结构可以使电子更容易移动。 
因此,准分子激光处理工艺可以推动这类依赖于高电子迁移率的、高分辨率有源矩阵型液晶屏(AM-LCD)和有源矩阵型有机发光二极管 (AM-OLED)更快进入市场,这些显示产品具有更快、更亮、更薄、更轻的诱人优势。 总之,由于其低温退火特性,准分子激光表面变换技术,成为可弯曲电子书及报纸这类基于柔性聚合物衬底(而非玻璃底板)的另类显示技术的基本工艺环节。 
增加太阳电池板的效率 
尽管太阳能光电产业在逐年高速发展,但是实现太阳能发电成本与现有电力成本持平的目标仍然很困难。这项技术在没有被大力扶持的情况下,可能还需要5年或更长的时间才能具有大范围的竞争优势。 
因此,目前通过工艺优化,材料改进(用于提高太阳能电池效率)以及玻璃、晶片及接触电极的改进(用于增强对太阳光的捕获),可以极大地推动太阳能光电市场的发展。 
传统的硅晶片刻蚀 
到目前为止,基于多晶硅太阳能电池的硅是目前商业化大规模生产的主体。通常使用线锯切割硅锭来生产晶片,这个工艺将会在晶片表面上形成深度大约10祄的微小裂痕,因为它将减小晶片的机械强度,并增加在表面区域的重组,所以必须设法消除线锯引起的损伤。传统上采用快速溶液刻蚀方法来消除这种线锯损伤。考虑到结晶面取向及杂质导致的局部不同的刻蚀速度,大约几个微米随机分布的缺口将出现在整个表面上(如图11所示),这种结构不利于光反射损耗。但是,为了得到高效率的太阳能电池,又必须得减小这个表面上的光反射率。
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