介绍了年产300万硅抛光片、60万硅外延片，主要生产4~12英寸的硅抛光片以及6~8英寸的硅外延片的微电子工厂的气体需求。主要有三氯氢硅、氯化氢、磷烷、乙硼烷、氢气和氮气。特种气体存放于进口的特气钢瓶柜，氯化氢HCl、三氯氢硅SiHCl3钢瓶柜各2个，磷烷PH3、乙硼烷B2H6各一个。 外延生长：外延炉经氯化氢和氮气吹扫清洗后，通入三氯氢硅SiHCl3和氢气H2，为了满足硅片的电学性能，还要掺入50ppm的特种气体磷烷PH3或乙硼烷B2H6，红外加热至1100~1200℃下，通过化学气相沉积法在硅衬底材料上生长一层与衬底材料具有相同晶格排列的单晶硅，形成单晶硅外延片。有99% 的三氯氢硅SiHCl3、磷烷PH3、乙硼烷B2H6参加反应。此工序产生的废气主要是氯化氢，还有一些没有反应的磷烷PH3、乙硼烷B2H6和三氯氢硅SiHCl3；外延炉的石墨基座和石英夹套需要定期更换，产生废石英和废石墨。